蔡司掃描電鏡SEM晶體缺陷定量定性分析技術研習班報名

 　　5月31日，蔡司掃描電鏡邀請德國馬普所顯微表征領域專家Stefan Zaefferer 博士，共同舉辦“SEM晶體缺陷定量定性分析技術”大中華區研習班。作為國際知名科學家，Dr. Stefan不僅將為我們介紹專門用于SEM中位錯、層錯等晶體缺陷定量定性分析的cECCI方案，還將進行該技術的操作教學與培訓。

　　cECCI(Controlled Electron Channeling Contrast Imaging)

　　可控電子通道襯度成像

　　清晰的晶體缺陷表征與分析通常被認為只能在透射電鏡(TEM)中完成，由此對制樣流程、拍攝技巧(雙束條件)都存在較高要求，可表征范圍也較小。

　　而cECCI是可以在掃描電鏡(SEM)中實現清晰的晶體學缺陷快速定量定性與分析的技術，它基于晶格錯排造成的背散射信號差異來實現，同時兼具了SEM中制樣簡單(僅需拋光)、可表征范圍大(整個樣品)，TEM中可統計位錯密度、確定柏氏矢量的優點。在此基礎上，Dr. Stefan大大簡化了cECCI的操作流程，可以快速獲得雙束條件，降低了該技術的上手門檻，有助于幫助金屬、陶瓷、半導體等領域的用戶開展快速而準確的晶體缺陷分析。

　　▲ 高熵合金中的晶體缺陷表征

　　歡迎全國存在快速晶體缺陷表征與分析需求的相關領域研究學者，報名參加此次研習班。

　　SEM晶體缺陷定量定性分析技術(cECCI)

　　時間：5月31日

　　地點：上海市浦東新區美約路60號 蔡司客戶中心

　　形式：線下參會/線上直播

　　(為了保證演示效果，上機部分僅線下展示)

　　內容：

　　cECCI技術方案介紹

　　cECCI技術上機操作教學與培訓

　　語言：中文/英文

　　特邀嘉賓：Stefan Zaefferer 博士

　　馬普所 “顯微學與衍射 ”研究組負責人

　　2000 年以來，Dr. Stefan一直擔任 MPIE “顯微學與衍射 ”研究組負責人。在此期間，主要從事 SEM 和 TEM中電子衍射技術、晶體取向測定、晶格缺陷表征技術的開發與應用，率先發展了基于SEM的cECCI技術，并將這些方法廣泛應用于顯微結構表征、變形機理等研究中。已發表SCI文章140余篇，被引超萬次。